сделать стартовой | обновить Сегодня в Миассе, пятница, 13.03.2026

На сайте 273 читателя
 Новости Фоторепортаж Интервью Мнения Фотофакт Гость редакции Поиск новостей 
 рубрики 
Все за сегодня

Официоз
Социум
Бизнес
Городское хозяйство
Среда обитания
Дежурная часть  16+
Здоровье
Отдых
По материалам СМИ
История Миасса
Людям о людях
Официальный вестник

 мы в соцсетях 




 наши проекты 
Сайт города Miass.ru
Miass.info
Справочник Miass.BIZ
Собрание депутатов
Почетные граждане
 поиск в новостях 

Март, 2026
пн 
вт 
ср 
чт 
пт 
сб 
вс 






1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 обсуждаемые темы 
 лучший комментарий 
 разделы 
Поиск
Карта сайта
Архив новостей
Фотографии
Видео/Аудио
Экспресс-опросы
Об агентстве
Размещение баннеров
Обзоры и статьи
Вопросы к редакции
index.rss
Мобильная версия сайта
 Miass.BIZ 
Предприятия города
Городские сайты
Городские СМИ
 

Яндекс.Метрика
На смену модулю памяти DDR II приходит DDR III
О новом поколении оперативной памяти рассказывает продавец-консультант салона "Зарница.com" Евгений Грязнов
Постоянный адрес статьи: http://newsmiass.ru/index.php?news=10861
Агентство новостей "NewsMiass.ru"
Рубрика: Бизнес
Опубликовано: 04.07.07 11:21
Обсуждение: 1 сообщение

Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate - попросту DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM.

Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, можно говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). Основное строение архитектуры сохранилось, изменениям же подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.

Среди основных преимуществ нового стандарта памяти, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов - до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667.

Основные особенности модулей DDR III: "Сетевая" Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM), терминацией, прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки.

Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 - хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц - 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц - 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц - 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц - 533 МГц), а у DDR - и вовсе 200 МГц - 600 МГц (100 МГц - 300 МГц).

Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Буфер предварительной выборки (prefetch buffer), надо отметить, достаточно важный элемент современных модулей памяти, поскольку он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут востребованы. Таким образом, предварительная 8-битная выборка DDR3 позволяет говорить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превышающей тактовую частоту.

Второй причиной роста производительности DDR3 можно смело назвать новую схемотехнику динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination), калибровка которой производится в процессе инициализации для достижения оптимального взаимодействия памяти и системы.

Наконец, в отличие от DDR2, где терминация применялась только частично, память DDR3 обладает полной терминацией, включая адреса и команды.

Преимуществами DDR3 по сравнению с DDR2 можно назвать более высокие тактовые частоты - до 1600 МГц, рост производительности при меньшем энергопотреблении (соответственно, более продолжительную работу ноутбуков от батарей), а также улучшенный термодизайн.

Минусом DDR3 против DDR2 можно назвать более высокую латентность.

Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной всем по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая "защита от дурака", предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти.

Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM.

Относительно форм-факторов памяти DDR3 - что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более "высокие" модули.

В разработке и утверждении стандарта DDR3 принимали участие все ведущие компании IT-индустрии, входящие в стандартообразующий комитет по DDR3 при комиссии JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council). Сейчас в работе секции по DDR3 принимают участие более 270 компаний, среди которых можно назвать Intel, AMD, Samsung, Qimonda, Micron, Corsair, OCZ и другие.

Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ нового поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости.

Материал подготовлен с использованием сайта www.3dnews.ru

Валерия Алексеева
[обсудить тему | дискуссия на форуме | версия для печати]
Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter


 в рубрике: Бизнес 

АЗ "Урал" завершает первый этап проекта "Цифровое производство Урал"

Первый камень - в основание производственной площадки

Важные для промышленности подписания

УРАЛьские новинки представлены на "Иннопром-2025"
Усиление защиты данных и импортозамещение
Автомобильный завод "Урал" и "Ростелеком" объединяют усилия для цифровой трансформации автопрома
Импортозамещение в действии
Автозавод "Урал" запустил два новых участка в рамках реализации проекта "Мосты"
Новая программа льготного кредитования малого бизнеса
Челябинвестбанк включен в новую программу льготного кредитования малого бизнеса
Погасили пламя в Арктике
Пожарно-спасательные автомобили "Урал" участвовали в ликвидации условных техногенных аварий в заполярных широтах
Тормози по-русски
Производитель большегрузных полноприводных автомобилей "Урал" и производитель тормозных систем локализуют производство автокомпонентов на Южном Урале
Побывали на экскурсии и вникли в коммерческую политику
На автомобильном заводе "Урал" организовали обучение для представителей товаропроводящей сети


 последние новости 

Любая победа - это огромный труд и большая радость

В некоторых домах северной части Миасса не будет газа и света

В Миассе выполнен большой объём работ в дорожно-транспортной сфере

Миасцы смогут уехать в Калининград на поезде
Педагоги Миасса обсудили тонкости работы с особенными детьми
Педагоги поделились своим практическим опытом работы с детьми с расстройством аутистического спектра
Жительницу Миасса начинают судить за убийство ребёнка
Следствие считает, что в январе прошлого года женщина дома несколько раз давала ребёнку смесь воды с наркотиками
Услуги налоговых органов миасцы могут получить через МФЦ
Жители Миасса могут получить в МФЦ 30 государственных услуг ФНС России
Миасцам, живущим в низинах, надо подготовиться к возможному подтоплению
Необходимо очистить уличные канавы, подготовить стоки для отвода талых вод, чтобы вода не подтопляла подвалы и погреба и не скапливалась на огородах
Народная дружина "Контроль" из Миасса стала лучшей в области
Полицейские определили лучшие народные дружины и обсудили защиту детей от преступности
Мифы и тайны болот узнали жители Миасса
Сотрудники Музея Ильменского заповедника рассказали, что же на самом деле скрывают эти удивительные места

Реклама
Рекламодатель:
АО «УралАЗ-Энерго»
ИНН: 7415036215
erid: 2VfnxwJkv4R

Как разместить здесь рекламу

Реклама
Рекламодатель:
ООО Специализированный застройщик «АВС-Стандарт»
ИНН: 7453267206
erid: 2Vfnxxu9SZX







главная | карта сайта | поиск | архив | наверх
Агентство новостей и информации "NewsMiass.ru" ("НьюсМиасс.ру"). Миасс, 2004-2026.
Электронное периодическое издание зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор) 28 января 2010 года. Свидетельство о регистрации: ЭЛ № ФС 77-38746. Учредитель: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕБ Миасс". Главный редактор: Тихоненко С.А.
Подробнее о соблюдении авторских прав, информационном сопровождении и размещении рекламы.
Адрес электронной почты редакции: news@miass.ru, телефон редакции: +7 (3513) 59-30-68. Знак информационный продукции 16+.