сделать стартовой | обновить Сегодня в Миассе, День образования подразделений по контролю за оборотом наркотиков системы МВД России, суббота, 06.12.2025

На сайте 843 читателя
 Новости Фоторепортаж Интервью Мнения Фотофакт Гость редакции Поиск новостей 
 рубрики 
Все за сегодня

Официоз
Социум
Бизнес
Городское хозяйство
Среда обитания
Дежурная часть  16+
Здоровье
Отдых
По материалам СМИ
История Миасса
Официальный вестник

 мы в соцсетях 




 наши проекты 
Сайт города Miass.ru
Miass.info
Справочник Miass.BIZ
Собрание депутатов
Почетные граждане
 поиск в новостях 

Декабрь, 2025
пн 
вт 
ср 
чт 
пт 
сб 
вс 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 обсуждаемые темы 
 лучший комментарий 
 разделы 
Поиск
Карта сайта
Архив новостей
Фотографии
Видео/Аудио
Экспресс-опросы
Об агентстве
Размещение баннеров
Обзоры и статьи
Вопросы к редакции
index.rss
Мобильная версия сайта
 Miass.BIZ 
Предприятия города
Городские сайты
Городские СМИ
 

Яндекс.Метрика
На смену модулю памяти DDR II приходит DDR III
О новом поколении оперативной памяти рассказывает продавец-консультант салона "Зарница.com" Евгений Грязнов
Постоянный адрес статьи: http://newsmiass.ru/index.php?news=10861
Агентство новостей "NewsMiass.ru"
Рубрика: Бизнес
Опубликовано: 04.07.07 11:21
Обсуждение: 1 сообщение

Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate - попросту DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM.

Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, можно говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). Основное строение архитектуры сохранилось, изменениям же подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.

Среди основных преимуществ нового стандарта памяти, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов - до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667.

Основные особенности модулей DDR III: "Сетевая" Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM), терминацией, прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки.

Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 - хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц - 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц - 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц - 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц - 533 МГц), а у DDR - и вовсе 200 МГц - 600 МГц (100 МГц - 300 МГц).

Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Буфер предварительной выборки (prefetch buffer), надо отметить, достаточно важный элемент современных модулей памяти, поскольку он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут востребованы. Таким образом, предварительная 8-битная выборка DDR3 позволяет говорить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превышающей тактовую частоту.

Второй причиной роста производительности DDR3 можно смело назвать новую схемотехнику динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination), калибровка которой производится в процессе инициализации для достижения оптимального взаимодействия памяти и системы.

Наконец, в отличие от DDR2, где терминация применялась только частично, память DDR3 обладает полной терминацией, включая адреса и команды.

Преимуществами DDR3 по сравнению с DDR2 можно назвать более высокие тактовые частоты - до 1600 МГц, рост производительности при меньшем энергопотреблении (соответственно, более продолжительную работу ноутбуков от батарей), а также улучшенный термодизайн.

Минусом DDR3 против DDR2 можно назвать более высокую латентность.

Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной всем по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая "защита от дурака", предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти.

Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM.

Относительно форм-факторов памяти DDR3 - что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более "высокие" модули.

В разработке и утверждении стандарта DDR3 принимали участие все ведущие компании IT-индустрии, входящие в стандартообразующий комитет по DDR3 при комиссии JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council). Сейчас в работе секции по DDR3 принимают участие более 270 компаний, среди которых можно назвать Intel, AMD, Samsung, Qimonda, Micron, Corsair, OCZ и другие.

Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ нового поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости.

Материал подготовлен с использованием сайта www.3dnews.ru

Валерия Алексеева
[обсудить тему | дискуссия на форуме | версия для печати]
Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter


 в рубрике: Бизнес 

АЗ "Урал" завершает первый этап проекта "Цифровое производство Урал"

Первый камень - в основание производственной площадки

Важные для промышленности подписания

УРАЛьские новинки представлены на "Иннопром-2025"
Усиление защиты данных и импортозамещение
Автомобильный завод "Урал" и "Ростелеком" объединяют усилия для цифровой трансформации автопрома
Импортозамещение в действии
Автозавод "Урал" запустил два новых участка в рамках реализации проекта "Мосты"
Новая программа льготного кредитования малого бизнеса
Челябинвестбанк включен в новую программу льготного кредитования малого бизнеса
Погасили пламя в Арктике
Пожарно-спасательные автомобили "Урал" участвовали в ликвидации условных техногенных аварий в заполярных широтах
Тормози по-русски
Производитель большегрузных полноприводных автомобилей "Урал" и производитель тормозных систем локализуют производство автокомпонентов на Южном Урале
Побывали на экскурсии и вникли в коммерческую политику
На автомобильном заводе "Урал" организовали обучение для представителей товаропроводящей сети


 последние новости 

Фортепианный вечер, "миассовский трёп" и робототехника

В Миассе завершились соревнования по сноуборду

Морозы подступают к Миассу

"Вез Баловнев на своей паре, с боков верхами гарцевали его сыновья"
Южноуральских водителей предупредили о непогоде
В ближайшие дни следует быть предельно внимательными, садясь за руль
Каждый второй россиянин сталкивался с обманом при покупках в сети
Об этом рассказали в полиции Миасса, напомнив основные правила безопасных покупок
В Миассе появился новый спортивный объект
При поддержке министерства спорта Челябинской области в Миассе построена новая лыжная база
Праздник тех, кто щедро делится своим временем, энергией и теплом
Поздравление главы Миасса Юрия Ефименко с Днём волонтёра
"Большой ремонт 74" в посёлке Хребет продолжается
Сейчас идёт сборка станции механической очистки и монтаж корпуса биологической очистки, а также благоустраивается территория
Вы - гордость нашего города и те, на кого следует равняться
Поздравление председателя Собрания депутатов МГО Дмитрия Проскурина с Днём волонтёра

Реклама
Рекламодатель:
АО «УралАЗ-Энерго»
ИНН: 7415036215
erid: 2Vfnxw1FvBS

Как разместить здесь рекламу

Реклама
Рекламодатель:
ООО «Акцент-Авто М»
ИНН: 5024106566
erid: 2VfnxwTjrXb







главная | карта сайта | поиск | архив | наверх
Агентство новостей и информации "NewsMiass.ru" ("НьюсМиасс.ру"). Миасс, 2004-2025.
Электронное периодическое издание зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор) 28 января 2010 года. Свидетельство о регистрации: ЭЛ № ФС 77-38746. Учредитель: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕБ Миасс". Главный редактор: Тихоненко С.А.
Подробнее о соблюдении авторских прав, информационном сопровождении и размещении рекламы.
Адрес электронной почты редакции: news@miass.ru, телефон редакции: +7 (3513) 59-30-68. Знак информационный продукции 16+.